ЛАБОРАТОРНАЯРАБОТА ...›Р13...АКВТ.230113.ЛР31.0010МУ Ëèñò Èíâ....

Государственное бюджетное образовательное учреждениеАстраханской области

среднего профессионального образования«Астраханский колледж вычислительной техники»

Специальность 230113

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА

Измерение параметров полупроводниковыхприборов и интегральных микросхем

АКВТ.230113.ЛР31.0010МУ

По дисциплине: Электротехнические измерения

Составил преподаватель: (Цепляев В.К.)Рассмотрено на заседании цикловойкомиссии специальности 230113«Компьютерные системы и комплексы»Протокол № ___ от________Рекомендовано для студентов.

Председатель комиссии: (Сботова А.Г.)

2012

АКВТ.230113.ЛР31.0010МУÈçì. Ëèñò ¹ äîêóì. Ïîäï. ÄàòàÐàçðàá. Öåïëÿåâ Измерение параметров

полупроводниковых приборови интегральных микросхем

Методические указания

Ëèñò ËèñòîâÏðîâ. Ñáîòîâà

Ëèò.Ó 2 33

Í.êîíòð.Óòâ.

АКВТÈíâ.¹ïîäë.

Ïîäï.èäàòà

Âçàì.èíâ.¹

Èíâ.¹äóáë.

Ïîäï.èäàòà

Ñïðàâ.¹

Ïåðâ.ïðèìåí.

Êîïèðîâàë Ôîðìàò A4

СОДЕРЖАНИЕ

1 Цель работы............................................................................................................ 32 Приборы и оборудование..................................................................................... 33 Правила техники безопасности............................................................................ 3

4 Теоретическая часть............................................................................................... 3

5 Порядок выполнения работы............................................................................... 11

6 Содержание отчета................................................................................................. 21

7 Контрольные вопросы........................................................................................... 21

8 Литература...............................................................................................................Приложение А.Технические характеристики некоторых полупроводниковыхэлементов...................................................................................................................

Приложение Б.Испытатель маломощных транзисторов и диодов Л2-54.........

Приложение В.Технические характеристики микросхемы К155ЛА3...............

Приложение Г.Технические данные испытателя цифровых интегральныхсхем Л2-60.................................................................................................................

Приложение Д.Пример использования прибора Л2-60.......................................

22

23

24

28

3033

АКВТ.230113.ЛР31.0010МУËèñò

3Èçì. Ëèñò ¹ äîêóì. Ïîäï. ÄàòàÈíâ.¹ïîäë.

Ïîäï.èäàòà

Âçàì.èíâ.¹

Èíâ.¹äóáë.

Ïîäï.èäàòà


1 ЦЕЛЬ РАБОТЫ

1.1 Изучить параметры микросхем, диодов, стабилитронов и маломощныхтранзисторов по справочной литературе.

1.2 Приобретение навыков измерения параметров микросхем, диодов,стабилитронов и маломощных транзисторов.

2 ПРИБОРЫ И ОБОРУДОВАНИЕ

2.1 Испытатель маломощных транзисторов и диодов Л2-54.2.2 Испытатель цифровых интегральных микросхем Л2-60.

3 ПРАВИЛА ТЕХНИКИ БЕЗОПАСНОСТИ

3.1 Соединить клемму приборов Л2-54 и Л2-60 с шиной защитногозаземления.

3.2 Убедиться в наличии и исправности сетевых предохранителей приборовЛ2-54 и Л2-60.

4 ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ

4.1 Статические параметры характеризуют поведение полупроводниковыхприборов при постоянном токе, динамические — их частотно-временные свойства,предельные параметры определяют область устойчивой и надежной работы.

4.2 В справочники, стандарты или технические описания включаетсянеобходимая для детального расчета схем информация о параметрах:

- нормы на значения параметров;- режимы их измерений;- вольт-амперные характеристики;- зависимости параметров от режима и температуры;- максимальные и максимально допустимые значения параметров;- конструктивно-технологические особенности приборов;- их основное назначение;- специфические требования;



Ïîäï.èäàòà

Âçàì.èíâ.¹

Èíâ.¹äóáë.

Ïîäï.èäàòà


- методы измерения параметров;- типовые схемы применения.4.3 Основные технические параметры диодов.4.3.1 Прямой ток и напряжение (Iпр, Iпр и, Iпр ср, Uпр, Uпр и).При приложении к диоду постоянного прямого напряжения Uпр его

температура зависит от величины протекающего прямого тока Iпр.Прямой ток, при котором температура p-n-перехода диода достигает

максимального допустимого значения (Tп max), называют допустимым прямымтоком (Iпр max).

Наибольшее допустимое мгновенное значение прямого тока диода называютмаксимальным импульсным прямым током (Iпр и max).

Наибольшее мгновенное значение прямого напряжения на диоде,обусловленное заданным импульсным прямым током, называется максимальнымимпульсным прямым напряжением диода (Uпр и max).

Средний прямой ток диода (Iпр ср) определяется при подаче на диодпеременного напряжения как среднее за период значение прямого тока.

Обратный ток и напряжение (Iобр, Iобр и, Uобр, Uобр и).4.3.2 При приложении к диоду постоянного заданного обратного напряжения

Uобр через него протекает постоянный обратный ток Iобр определенной величины.Важным параметром диодов является максимальное допустимое обратное

напряжение Uобр max, при котором не происходит пробоя p-n-перехода.Обычно Uобр max ≤0,8Uпроб, где Uпроб — значение обратного напряжения,

вызывающее пробой перехода диода, при котором обратный ток достигаетзаданного значения, оно называется пробивным напряжением диода.

Максимально допустимое импульсное обратное напряжение (Uобр и max)определяет максимальное мгновенное значение для обратного напряжения на диоде,а максимально допустимый импульсный обратный ток (Iобр и max) характеризуетпредельное мгновенное значение обратного тока, обусловленного импульснымобратным напряжением.

4.3.3 Рассеиваемая мощность (Pпр, Pобр, Pср, Pи).Когда через диод проходит ток, при заданном напряжении на диоде выделяется

мощность Pд=IU.При подаче на диод переменного напряжения общая мощность, рассеиваемая

диодом, равна сумме мощностей рассеиваемых при прохождении тока в прямом(Pпр) и обратном (Pобр) направлениях Pд=Pпр+Pобр.

Средняя рассеиваемая мощность (Pср) определяется как среднее за период



Ïîäï.èäàòà

Âçàì.èíâ.¹

Èíâ.¹äóáë.

Ïîäï.èäàòà


значение мощности, рассеиваемой диодом при протекании прямого и обратноготоков.

Максимальное значение рассеиваемой мощности, при которой гарантируетсядолговременная и стабильная работа диода при заданных внешних условиях,называется максимальной допустимой мощностью рассеяния диода.

Наибольшее мгновенное значение мощности, рассеиваемой диодом,называется импульсной рассеиваемой мощностью (Pи).

4.3.4 Температура (T, Tп, Tкор).Выделение мощности сопровождается нагреванием диода, что приводит к

росту обратного тока и увеличению вероятности возникновения теплового пробояp-n-перехода.

Для исключения теплового пробоя температура p-n-перехода должна бытьменьше максимальной допустимой температуры перехода (Tп max).

Как правило, эта температура для германиевых диодов составляет 70 °C, а длякремниевых— 125 °C.

Выделяемая теплота рассеивается диодом в окружающую среду. Учитываяконструктивные особенности диода и условия его эксплуатации, иногданормируются максимальная температура корпуса диода (Tк max) и максимальнаятемпература окружающей среды вблизи диода (T).

4.3.5 Характеристики стабилитронов.а) Напряжение стабилизации - значение напряжения на стабилитроне при

прохождении заданного тока стабилизации.б) Пробивное напряжение диода, а значит, напряжение стабилизации

стабилитрона зависит от толщины p-n-перехода или от удельного сопротивлениябазы диода. Поэтому разные стабилитроны имеют различные напряжениястабилизации (от 3 до 400 В).

в) Температурный коэффициент напряжения стабилизации - величина,определяемая отношением относительного изменения температуры окружающейсреды при постоянном токе стабилизации.

Значения этого параметра у различных стабилитронов различны. Коэффициентможет иметь как положительные так и отрицательные значения для высоковольтныхи низковольтных стабилитронов соответственно.

4.4 Основные технические параметры маломощных транзисторов.4.4.1 Начальный ток коллекторного перехода Icb0 — ток через обратно

смещенный переход коллектор-база при отключенном эмиттере и заданномнапряжении на коллекторе .



Ïîäï.èäàòà

Âçàì.èíâ.¹

Èíâ.¹äóáë.

Ïîäï.èäàòà


4.4.2 Начальный ток эмиттерного перехода Ieb0 — ток через обратносмещенный переход эмиттер-база при отключенном коллекторе и заданномнапряжении на эмиттере.

4.4.3 Оба эти тока зависят от температуры, и поэтому их называюттемпературными, или неуправляемыми, токами.

4.4.4 Начальный ток короткого замыкания Ikek - ток в цепи коллектор-эмиттерпри замкнутых, эмиттере и базе и заданном напряжении на коллекторе.

4.4.5 Коэффициент передачи тока h21 при короткозамкнутом выходе.4.4.6 Выходная проводимость h22 при разомкнутом по переменному току

входе.4.4.7 Предельные параметры ограничивают область допустимых режимов

работы транзисторов. Превышение предельных параметров приводит к резкомуснижению надежности работы транзисторов.

а) Максимальная мощность Рм — значение предельной мощности,рассеиваемой транзистором, при котором обеспечивается заданная надежность придлительной работе.

б) Максимальная импульсная мощность Рм.и — значение предельнойимпульсной мощности, рассеиваемой транзистором, при котором обеспечиваетсязаданная надежность. Величина Рм.и зависит от длительности импульсов, ихскважности и формы.

в) Максимальный постоянный ток коллектора Iкм ограничиваетсямаксимальной мощностью Рм (максимальной температурой перехода).

г) Максимальный импульсный ток коллектора Iк. м определяется допустимымразогревом отдельных участков перехода и снижением коэффициента усиления потоку.

д) Максимальное обратное напряжение коллектор-база Uк. б. о - напряжениемежду коллектором и базой при Iэ = 0, при котором обеспечивается заданнаянадежность. Этот параметр используется для расчета режима работы закрытоготранзистора или при включении его по схеме с общей базой.

е) Максимальное обратное напряжение эмиттер-база Uэ. б. о используется длярасчета режима работы транзистора в схемах, где на входе действует запирающеенапряжение (различные импульсные схемы, усилители в режиме В).

ж) Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер Uк.э.о - значениепредельного напряжения между коллектором и эмиттером при Iб = 0. ЗначениеUк.э.о существенно зависит от тока коллектора.

4.4.8 Тепловые параметры транзисторов характеризуют устойчивость их при



Ïîäï.èäàòà

Âçàì.èíâ.¹

Èíâ.¹äóáë.

Ïîäï.èäàòà


работе в широком диапазоне температур и определяют связь между рассеиваемойэлектрической мощностью и температурой определенных областей приборов.

а) Максимальная температура перехода Тмакс - значение предельнойположительной температуры перехода, при которой обеспечивается заданнаянадежность.

Тмакс устанавливается с определенным коэффициентом запаса. Длягерманиевого транзистора Тмакс составляет 80—1000 С, для кремниевого - 150-2000

С.б) Минимальная температура перехода (окружающей среды) Тмин — значение

предельной отрицательной температуры перехода, при которой обеспечиваетсязаданная надежность. Величина Тмин определяется разрушающими механическимиусилиями, возникающими между отдельными элементами транзистора при егоохлаждении.

4.5 Параметры некоторых диодов и транзисторов приведены в приложении А.4.6 В инженерной практике работоспособность полупроводниковых приборов

определяется с помощью испытателей.Технические данные испытателя маломощных транзисторов и диодов Л2-54

приведены в приложении Б.4.6.1 Прибор обеспечивает измерение основных параметров маломощных

биполярных транзисторов:- обратного тока коллектора Icb0 ;- коэффициента передачи тока h21;- выходной проводимости h22;- короткого замыкания КЗ между коллектором и эмиттером).4.6.2 Прибор обеспечивает измерение основных параметров

полупроводниковых диодов:- обратного тока IR ,- прямого напряжения UF,а для стабилитронов и стабисторов:- напряжения стабилизации Uz.4.6.3 Каждый параметр измеряется при помощи схемы, собираемой из

соответствующих составных частей при помощи коммутации органами управленияна лицевой панели прибора Л2-54.

4.7 Логический элемент цифровой интегральной схемы на уровне егографического обозначения приведён на рисунке 1.

4.7.1 Схема содержит четыре транзистора структуры n-p-n, три диода и пять



Ïîäï.èäàòà

Âçàì.èíâ.¹

Èíâ.¹äóáë.

Ïîäï.èäàòà


резисторов. Между транзисторами существует непосредственная связь (безразделительных конденсаторов), что позволяет им работать с постоянныминапряжениями. Выходная нагрузка микросхемы условно показана в виде резистораRн. На самом деле это чаще всего вход или несколько входов таких же цифровыхмикросхем.

Рисунок 1 - Схема логического элемента 2И-НЕ

4.7.2 Первый транзистор многоэмиттерный. Именно он выполняет входнуюлогическую операцию 2И, а следующие за ним транзисторы выполняют усиление иинвертирование сигнала. Микросхемы, выполненные по подобной схеме,называются транзисторно-транзисторной логикой, сокращенно ТТЛ.

4.7.3 На входах логического элемента 2И-НЕ между эмиттерами входноготранзистора и общим проводом установлены диоды VD1 и VD2. Их назначениезащитить вход от напряжения отрицательной полярности, которое можетвозникнуть в результате самоиндукции элементов монтажа при работе схемы навысоких частотах, либо просто подано по ошибке от внешних источников.

4.7.4 Входной транзистор VT1 включен по схеме с общей базой, а егонагрузкой служит транзистор VT2, который имеет две нагрузки. В эмиттере эторезистор R3, а в коллекторе R2. Таким образом, получается фазоинвертор длявыходного каскада на транзисторах VT3 и VT4, что заставляет работать их впротивофазе: когда закрыт VT3, открыт VT4 и наоборот.

4.7.5 Предположим, что на оба входа элемента 2И-НЕ подан низкий уровень.Для этого достаточно просто соединить эти входы с общим проводом. В этом случаетранзистор VT1 будет открыт, что повлечет за собой закрытие транзисторов VT2 иVT4. Транзистор же VT3 окажется в открытом состоянии и через него и диод VD3ток течет в нагрузку на выходе элемента состояние высокого уровня (логическаяединица).

4.7.6 В том случае, если на оба входа подать логическую единицу транзистор



Ïîäï.èäàòà

Âçàì.èíâ.¹

Èíâ.¹äóáë.

Ïîäï.èäàòà


VT1 закроется, что приведет к открытию транзисторов VT2 и VT4. За счет ихоткрытия транзистор VT3 закроется и ток через нагрузку прекратится. На выходеэлемента устанавливается нулевое состояние или напряжение низкого уровня.

4.7.7 Напряжение низкого уровня обусловлено падением напряжения напереходе коллектор эмиттер открытого транзистора VT4 и согласно техническимусловиям не превышает 0,4В.

4.7.8 Напряжение высокого уровня на выходе элемента меньше, чемнапряжение питания на величину падения напряжения на открытом транзистореVT3 и диоде VD3 в том случае, когда транзистор VT4 закрыт. Напряжение высокогоуровня на выходе элемента зависит от нагрузки, но не должно быть менее 2,4В.

4.7.9 Если на входы элемента, соединенные вместе, подать очень медленноизменяющееся напряжение, меняющееся от 0 до 5В, то можно проследить чтопереход элемента из высокого уровня в низкий происходит скачкообразно. Этотпереход выполняется в тот момент, когда напряжение на входах достигает уровняпримерно 1,2В. Такое напряжение для 155 - й серии микросхем называетсяпороговым.

4.7.10 Проверку работы логического элемента 2И-НЕ можно начать, например,с первого элемента. Его входные выводы 1 и 2, а выход 3.

4.7.11 Для того, чтобы подать на вход сигнал логического нуля (см. рисунок 2),достаточно этот вход просто подсоединить к минусовому (общему) проводуисточника питания.

4.7.12 Если же на вход требуется подать логическую единицу, то этот входследует подключить к шине +5В, но не напрямую, а через ограничительныйрезистор сопротивлением 1....1,5кОм (см. рисунок 2).

4.7.13 Предположим, что мы соединили вход 2 с общим проводом,- тем самым,подав на него логический нуль, а на вход 1 подали логическую единицу, как толькочто было указано через ограничительный резистор R1. Это соединение показано нарисунке 2а.

4.7.14 Если при таком подключении измерить напряжение на выходе элемента,то вольтметр покажет 3,5....4,5В, что соответствует логической единице.Логическую же единицу также даст измерение напряжения на выводе 1.

4.7.15 По результатам проведенных измерений можно сделать следующийвывод: когда на одном из входов элемента 2И-НЕ высокий уровень, а на другомнизкий, на выходе обязательно присутствует высокий уровень.

4.7.16 Далее подадим единицу на оба входа сразу, как указано на рисунке 2б,но один из входов, например 2, соединим с общим проводом с помощью



Ïîäï.èäàòà

Âçàì.èíâ.¹

Èíâ.¹äóáë.

Ïîäï.èäàòà


проволочной перемычки. Если измерить напряжение на выходе элемента, то, как ив предыдущем случае, там будет логическая единица.

Рисунок 2 - Схемы проверки микросхемы

4.7.17 Не прерывая измерения, уберем проволочную перемычку, - вольтметрпокажет высокий уровень на выходе элемента. Это полностью соответствует логикеработы элемента 2И-НЕ.

4.7.18 Если теперь этой перемычкой замыкать периодически на общий проводлюбой из входов, имитируя подачу низкого и высокого уровня, то с помощьювольтметра на выходе можно обнаружить импульсы напряжения стрелка будетколебаться в такт касаниям перемычкой входа микросхемы.

4.7.19 Из проведенных опытов можно сделать следующие выводы: напряжениенизкого уровня на выходе появится лишь в том случае, когда на обоих входахприсутствует высокий уровень, то есть по входам выполняется условие 2И.

Если же хоть на одном из входов присутствует логический нуль, на выходеимеется логическая единица, можно повторить, что логика работы микросхемыполностью соответствует логике работы схемы 2И-НЕ.

4.8 Технические характеристики микросхемы К155ЛА3 приведены вприложении В.

4.9 В инженерной практике работоспособность цифровой интегральной схемыопределяются с помощью испытателей. Технические данные испытателя цифровыхинтегральных схем Л2-60 приведены в приложении Г.



Ïîäï.èäàòà

Âçàì.èíâ.¹

Èíâ.¹äóáë.

Ïîäï.èäàòà


5 ПОРЯДОК ВЫПОЛНЕНИЯ РАБОТЫ

5.1 Подготовка к измерениям параметров полупроводниковых приборов.5.1.1 Подключите шнур питания прибора Л2-54 к сети и нажмите кнопку

СЕТЬ (кнопка БАТАРЕЯ отпущена). При этом должна загореться лампочка СЕТЬ.5.1.2 Прогрейте прибор в течение 5 минут.5.1.3 После включения, пятиминутного прогрева и проверки

работоспособности прибора поставьте переключатель ДИОД-ТРАНЗИСТОР вположение п-р-п или р-п-р в зависимости от структуры проверяемого транзистораили в положение ДИОД при измерении параметров диодов, стабисторов илистабилитронов.

5.1.4 Поставьте переключатель РЕЖИМ в положение 30.5.1.5 Поставьте ручку О на передней панели в среднее положение.5.1.6 Поставьте правый нижний переключатель (переключатель параметров) в

положение Icв0 mA для транзисторов или Ir для диодов, ключ РЕЖИМ-ИЗМЕР. вположение ИЗMFP. и потенциометром О на задней панели установите стрелкуиндикатора приблизительно па нулевую отметку, а ручкой О переднейпанели точно на нулевую отметку. Поставьте ключ РЕЖИМ-ИЗМЕР. в среднееположение, а переключатель ДИОД-ТРАНЗИСТОР в положение п-р-п или р-п-р.

5.1.7 Подключите проверяемый транзистор к держателю полупроводниковыхприборов согласно обозначениям и расположению выводов. Эмиттер проверяемоготранзистора подключите к контактам Е1 или Е2 в зависимости от требуемого токаэмиттера (при подключении к контакту Е1 ток эмиттера равен 1 мА приподключении к контакту Е2 ток эмиттера равен 5 мА. При проверке параметровполупроводниковых диодов, стабисторов или стабилитронов подключитепроверяемый полупроводниковый прибор к контактам + и - держателяполупроводниковых приборов, причем длина выводов проверяемогополупроводникового прибора должна быть достаточной для одновременногоконтактирования с обоими контактами + держателя полупроводниковых приборов.После подключения полупроводникового диода, стабистора или стабилитронанаденьте крышку на держатель полупроводниковых приборов.

5.2 Измерение параметров полупроводниковых приборов.5.2.1 Определение короткого замыкания между коллектором и эмиттером

проверяемого транзистора при заранее подключенном транзисторе производитсяследующим образом:

- поставьте правый нижний переключатель (переключатель параметров) в



Ïîäï.èäàòà

Âçàì.èíâ.¹

Èíâ.¹äóáë.

Ïîäï.èäàòà


положение КЗ h22- поставьте правый верхний переключатель (переключатель диапазонов) в

положение КЗ;- поставьте ключ РЕЖИМ-ИЗМЕР. в положение ИЗМЕР. При коротком

замыкании между коллектором и эмиттером транзистора стрелка индикатораприбора будет зашкаливать.

5.2.2 Измерение выходной проводимости транзистора при заранееподключенном проверяемом транзисторе производится в следующейпоследовательности:

- поставьте правый нижний переключатель (переключатель параметров) вположение КЗ h22

- поставьте правый верхний переключатель (переключатель диапазонов) вположение h;

- поставьте ключ РЕЖИМ-ИЗМЕР. в положение ИЗМЕР. и ручкой hустановите стрелку индикатора на деление 4 шкалы h22, поставьте ключРЕЖИМ-ИЗМЕР. в среднее положение;

- поставьте правый верхний переключатель (переключатель диапазонов) вположение h22;

- поставьте ключ РЕЖИМ-ИЗМЕР. в положение ИЗМЕР. и по шкалеиндикатора прибора отсчитайте величину выходной проводимости в μS.

- поставьте ключ РЕЖИМ-ИЗМЕР. в среднее положение;Если при измерении выходной проводимости транзистора стрелка индикатора

находится на нулевой отметке или около нее, то в этом случае имеется или малаявыходная проводимость проверяемого транзистора, или отсутствует контактвыводов транзистора с держателем полупроводниковых приборов, или имеетсяобрыв внутри корпуса транзистора; отсутствие контакта или обрыв внутри корпусатранзистора индицируется отсутствием отклонения стрелки при проверке.

Если при измерении выходной проводимости стрелка индикатора зашкаливает,то в этом случае имеется или большая выходная проводимость проверяемоготранзистора, или короткое замыкание между коллектором и базой транзистора;

Короткое замыкание индицируется зашкаливанием стрелки индикатора припроверке транзистора.

5.2.3 Измерение коэффициента передачи тока транзистора при заранееподключенном транзисторе производится в следующей последовательности:

- поставьте правый нижний переключатель (переключатель параметров) вположение h21;



Ïîäï.èäàòà

Âçàì.èíâ.¹

Èíâ.¹äóáë.

Ïîäï.èäàòà


- поставьте правый верхний переключатель (переключатель диапазонов) вположение qh;

- поставьте ключ РЕЖИМ-ИЗМЕР; в положение ИЗМЕР. и ручкой hустановите стрелку индикатора на деление 0,9 шкалы h22 поставьте ключРЕЖИМ-ИЗМЕР. в среднее положение;

- поставьте правый верхний переключатель (переключатель диапазонов) вположение h21;

- поставьте ключ РЕЖИМ-ИЗМЕР. в положение ИЗМЕР. и по шкале h21ь илиh21е индикатора прибора отсчитайте величину коэффициента передачи тока;

- поставьте ключ РЕЖИМ-ИЗМЕР. в среднее положение; если при измерениикоэффициента передачи тока стрелка индикатора находится на отметке I шкалыh21ь или около нее, то в этом случае имеется или большой коэффициент передачитока, или обрыв внутри корпуса транзистора между выводами эмиттера и базы, илиотсутствует контакт между выводами эмиттера и базы транзистора иконтактами Е1 (Е2) или В держателя полупроводниковых приборов; исправностьэмиттерного перехода может быть проверена аналогично п. 9.2.4, подключивэмиттер и базу проверяемого транзистора соответственно к контактам С и Вдержателя полупроводниковых приборов;

Если при измерении коэффициента передачи тока стрелка индикаторазашкаливает в правую сторону, то в этом случае или коэффициент передачи токаменьше, чем диапазон измерения прибора, или имеется короткое замыкание внутрикорпуса транзистора между эмиттером и базой.

Короткое замыкание или чрезмерный ток эмиттерного перехода индицируетсязашкаливанием стрелки индикатора.

5.2.4 Измерение обратного тока коллектора транзистора при заранееустановленной на нуль стрелке индикатора прибора и подключенномпроверяемом транзисторе производится в следующей последовательности:

- поставьте правый нижний переключатель (переключатель параметров) вположение IСВо mА;

- поставьте ключ РЕЖИМ-ИЗМЕР. в положение ИЗМЕР. и по шкале 10 V, Iиндикатора прибора отсчитайте величину обратного тока коллектора, выбрав припомощи правого верхнею переключатели (переключателя диапазонов; такой:диапазон измерения (диапазоны 0,1; 1; 10 и 100 μA), чтобы возможно былопроизвести уверенный отсчет показаний индикатора прибора;

- поставьте ключ РЕЖИМ-ИЗМЕР. в среднее положение;Если при измерении обратного тока коллектора стрелка индикатора не



Ïîäï.èäàòà

Âçàì.èíâ.¹

Èíâ.¹äóáë.

Ïîäï.èäàòà


отклоняется или отклоняется незначительно, то в этом случае или ток проверяемоготранзистора менее контролируемого данным прибором, или имеется обрыв внутрикорпуса транзистора, или отсутствует контакт между выводами транзистора иконтактами В или С держателя полупроводниковых приборов.

Обрыв или отсутствие контакта индицируется отсутствием илинезначительным отклонением стрелки при проверке выходной проводимости.

Если при измерении стрелка зашкаливает, то в этом случае или обратный токколлектора проверяемого транзистора более контролируемого данным прибором,или имеется короткое замыкание между коллектором и базом проверяемоготранзистора; короткое замыкание индицируется зашкаливанием стрелки индикатора.

5.2.5 Измерение обратного тока диода IR при заранее установленной на нульстрелке индикатора прибора и подключенном проверяемом полупроводниковомдиоде производится следующим образом:

- поставьте правый нижний переключатель (переключатель параметров) вположение IR ;

- установите режим измерении обратного тока полупроводникового диода, длячего поставьте ключ РЕЖИМ-ИЗМЕР. в положение РЕЖИМ и, пользуясьпереключателем РЕЖИМ (диапазоны 30, 100 и 400 V) и ручкой IFмA UrV,

- установите по индикатору прибора требуемую величину обратногонапряжения диода;

- поставьте ключ РЕЖИМ-ИЗМЕР. в положение ИЗМЕР. и по шкале 10 V. Iиндикатора прибора отсчитайте величину обратного тока диода, выбрав припомощи правого верхнего переключателя (переключателя диапазонов) такойдиапазон измерения (диапазон 0,1; 1; 10 и 100 mА), чтобы было возможнопроизвести уверенный отсчет показаний индикатора; поставьте ключРЕЖИМ-ИЗМЕР. в среднее положение;

Если при измерении обратного тока стрелка индикатора не отклоняется, то вэтом случае или ток проверяемого полупроводникового прибора менееконтролируемого данным прибором, или есть обрыв внутри корпуса проверяемогополупроводникового прибора, или отсутствует контакт между выводамипроверяемого полупроводникового прибора и контактами держателяполупроводникового прибора; отсутствие контакта или обрыв индицируетсязашкаливанием стрелки прибора при проверке.

Если при измерении стрелка зашкаливает, то в этом случае обратный ток диодаболее контролируемого данным прибором, или имеется короткое замыканиевнутри корпуса проверяемого полупроводникового прибора; короткое замыкание



Ïîäï.èäàòà

Âçàì.èíâ.¹

Èíâ.¹äóáë.

Ïîäï.èäàòà


индицируется зашкаливанием стрелки индикатора при проверке.5.2.6 Измерение прямого напряжения подключенного диода или напряжения

стабилизации подключенного стабистора производятся следующим образом:- поставьте правый нижний переключатель (переключатель параметров) в

положение UFV;- поставьте правый верхний переключатель (переключатель диапазонов) в

положение 3;- установите режим измерения прямого напряжения полупроводникового

диода или напряжения стабилизации стабистора, для чего поставьте ключРЕЖИМ-ИЗМЕР. В положение РЕЖИМ и, пользуясь переключателем РЕЖИМ(диапазоны 30, 100 мА при батарейном питании прибора и диапазоны 30, 100, 300мА при питании прибора от сети) иручкой Ip/мA UrV установите по индикаторуприбора требуемую величину прямого тока;

- поставьте ключ РЕЖИМ-ИЗМЕР. в положение ИЗМЕР. и отсчитайтевеличину прямого напряжения полупроводникового диода или напряжениястабилизации стабистора, выбрав при помощи правого верхнего переключателя(переключателя диапазонов) такой диапазон измерения (диапазоны 1 и 3 V), чтобывозможно было произвести уверенный отсчет показаний индикатора прибора;

- поставьте ключ РЕЖИМ-ИЗМЕР. в среднее положение.Если при измерении прямого напряжения полупроводникового диода,

стабилитрона или напряжения стабилизации стабистора стрелка не отклоняется, то вэтом случае или отсутствует контакт между выводом проверяемогополупроводникового прибора и контактами + держателя полупроводниковыхприборов, или есть короткое замыкание внутри корпуса проверяемогополупроводникового прибора; наличие короткого замыкания уточняетсяиндикацией чрезмерного тока при проверке обратного тока.

Если стрелка индикатора зашкаливает в диапазоне 3 V, то в этом случаеимеется или обрыв внутри корпуса проверяемого полупроводникового прибора, илиотсутствует контакт между выводами полупроводникового прибора и контактом

держателя полупроводниковых приборов, или имеется напряжение стабилизациистабистора более 3 V: обрыв или отсутствие контакта подтверждается отсутствиемобратного тока при проверке.

5.2.7 Измерение напряжения стабилизации подключенного стабилитронапроизводится следующим образом: поставьте переключатель РЕЖИМ в положение100; поставьте правый нижний переключатель (переключатель параметров) вположение UzV;



Ïîäï.èäàòà

Âçàì.èíâ.¹

Èíâ.¹äóáë.

Ïîäï.èäàòà


- поставьте правый верхний переключатель (переключатель диапазонов) вположение 30;

- поставьте ключ РЕЖИМ-ИЗМЕР. в положение ИЗМЕР. и отсчитайтевеличину напряжения стабилизации, выбрав при помощи правого верхнегопереключателя (переключателя диапазонов) такой диапазон (диапазоны 10 и 30 В),чтобы возможно было произвести уверенный отсчет показаний индикатора прибора;

- поставьте ключ РЕЖИМ-ИЗМЕР. в среднее положение.Если при измерении напряжения стабилизации стрелка индикатора

зашкаливает в диапазоне 30 В, то в этом случае или напряжение стабилизациибольше, чем 30 В, или есть обрыв внутри корпуса стабилитрона, или отсутствуетконтакт между стабилитроном и контактом держателя полупроводниковыхприборов; обрыв или отсутствие контакта подтверждается, если при проверкестабилитрона его прямое напряжение более 3 В.

5.2.8 Отключите проверяемый полупроводниковый прибор от держателяполупроводниковых приборов, снимите держатель контактов, если ониспользовался, наденьте крышку на держатель полупроводниковых приборов,отпустите кнопку СЕТЬ и отключите шнур питания прибора от сети (при сетевомпитании) или отпустите кнопку БАТАРЕЯ (при батарейном питании).

5.3 Обработка результаты измерений параметров полупроводниковыхприборов.

5.3.1 Результаты измерений параметров каждого проверенного диодафиксируются в таблице 1.

Таблица 1.Результаты измерений параметров диода.

Марка диодаНаименование

параметраЗначение параметра Режим

измеренияИзмеренное по ТУ

Обратный токIR ,мкА Uобр=

Прямоенапряжение UF.

ВIпр=



Ïîäï.èäàòà

Âçàì.èíâ.¹

Èíâ.¹äóáë.

Ïîäï.èäàòà


5.3.2 Результаты измерений параметров каждого проверенного транзисторафиксируются в таблице 2.

Таблица 2. Результаты измерений параметров транзистора.

Маркатранзистора

Наименованиепараметра

Значение параметраРежим


Обратный токколлектраICBO ,мкА

UCBобр=

Статическийкоэффициентпередачи тока

h21

Выходнаяпроводимость

h22

Короткоезамыкание междуколлектором иэмиттером

недопускается

Iк=UCB=

Iк=UCE=

-

5.3.3 Результаты измерений параметров каждого проверенного стабилитронафиксируются в таблице 3.

5.3.4 По результатам проверки дать выводы о работоспособностиполупроводникового прибора.

5.4 Проверка работоспособности цифровой интегральной схемы.В данной работе представляется возможным экспериментально оценить

работоспособность цифровой интегральной схемы с помощью испытателяцифровых интегральных схем Л2-60.

5.5 Проверка работоспособности цифровой интегральной схемы К155ЛА3 иеё аналогов производится согласно методике, приведённой в приложенииД"Примеры использования прибора Л2-60" .



Ïîäï.èäàòà

Âçàì.èíâ.¹

Èíâ.¹äóáë.

Ïîäï.èäàòà


Таблица 3.Результаты измерений параметров стабилитрона.

Маркастабилитрона

Наименованиепараметра

Значение параметраРежим


Напряжениестабилизации

UZ ,В Iст=

Прямоенапряжение UF

ВIпр=

5.5.1 Упрощённая схема проверки работоспособности приведена на рисунке 3.

U1/U0

+5В

Uвыхлог"1"

R=1...1k5

& VU1/U0

+5В

Uвыхлог"1"

R=1...1k5

& V

Рисунок 3 - Упрощённая схема проверки работоспособностилогического элемента микросхемы

5.6 Результаты проверки фиксируются в таблицах 4...7.Примечание. В таблицах лог."1" означает следующее, что к контакту, к

которому не подаются уровни логических нуля и единицы, которые формируютсяприбором Л2-60, на наборном поле устанавливается (строка Е1) ограничительныйрезистор сопротивлением 1....1,5кОм (красная перемычка с маркировкой 1к или 1к5).

5.7 По результатам проверки дать выводы о работоспособности микросхемы.



Ïîäï.èäàòà

Âçàì.èíâ.¹

Èíâ.¹äóáë.

Ïîäï.èäàòà


Таблица 4. Результаты проверки первого элемента 2И-НЕ микросхемы

Вход 1︵контакт 1 микросхемы ︶

Вход 2

︵контакт 2 микросхемы ︶

Выход


U0= лог."1" Uвых=


лог."1" U0= Uвых=


Таблица 5. Результаты проверки второго элемента 2И-НЕ микросхемы

Вход 1


Вход 2

︵контакт 5 микросхемы ︶Выход






Таблица 6. Результаты проверки третьего элемента 2И-НЕ микросхемы

Вход 1


Вход 2


Выход








Ïîäï.èäàòà

Âçàì.èíâ.¹

Èíâ.¹äóáë.

Ïîäï.èäàòà


Таблица 7. Результаты проверки четвёртого элемента 2И-НЕ микросхемы

Вход 1︵контакт 12 микросхемы ︶

Вход 2


Выход






.



Ïîäï.èäàòà

Âçàì.èíâ.¹

Èíâ.¹äóáë.

Ïîäï.èäàòà


6 СОДЕРЖАНИЕ ОТЧЕТА

6.1 Цель работы.6.2 Приборы и оборудование с краткими техническими характеристиками.6.3 Выполнение рабочего задания по пунктам.6.3.1 В каждом пункте необходимо отразить:а) наименование раздела;б) упрощённая схема проверки;в) таблицы измерений.6.4 Выводы о проделанной работе.

7 КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ

7.1 Объясните принцип работы испытателя маломощных транзисторов идиодов Л2-54.

7.2 Назовите основные параметры транзистора.7.3 Назовите основные параметры диодов.7.4 Как измерить обратный ток диода?7.5 Назовите основные параметры стабилитрона.7.6 Как измерить обратный ток коллектора транзистора?7.7 По каким параметрам оценивают работоспособность транзистора?7.8 По каким параметрам оценивают работоспособность диода?7.9 Объясните принцип работы испытателя цифровых интегральных схем

Л2-60 при проверки работоспособности микросхем ТТЛ.7.10 Что такое микросхемы ТТЛ?7.11 Что такое таблица истинности микросхемы?7.12 Назовите основные параметры интегральных микросхем ТТЛ.



Ïîäï.èäàòà

Âçàì.èíâ.¹

Èíâ.¹äóáë.

Ïîäï.èäàòà


8 ЛИТЕРАТУРА

8.1Полупроводниковые приборы: транзисторы.Справочник.М., Энергоиздат,1986г.

8.2 Полупроводниковые приборы: диоды, тиристоры,оптоэлектронныеприборы.Справочник.М., Энергоиздат, 1986г.

8.3 Испытатель маломощных транзисторов и диодов Л2-54. Ттехническоеописание и инструкции по эксплуатации 2.746.024 ТО.

8.4 Г.М. Терешкин, Г.Г. Шишкин «Электрорадиоизмерения», М., Энергия,1975г.



Ïîäï.èäàòà

Âçàì.èíâ.¹

Èíâ.¹äóáë.

Ïîäï.èäàòà


ПРИЛОЖЕНИЕ А.Технические характеристики некоторых полупроводниковых элементов.

А.1 Технические характеристики транзистора КТ315А n-pn структуры.Uкбо = 25В - Максимально допустимое напряжение коллектор-база.Uкбои=25В - Максимально допустимое импульсное напряжение

коллектор-база.Uкэо=25В- Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер.Uкэои=25В - Максимально допустимое импульсное напряжение

коллектор-эмиттер.Iкmax=100мА - Максимально допустимый постоянный ток коллектора.Iкmax и=100мА - Максимально допустимый импульсный ток коллектора.Pкmax=150мВт - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность

коллектора без теплоотвода.h21э=30...100 - Статический коэффициент передачи тока биполярного

транзистора в схеме с общим эмиттером.Iкбо<0,5мкА - Обратный ток коллектора.fгр>250МГц - Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с

общим эмиттером.h22 <0,3 мкСм - Выходная проводимость.А.2 Технические характеристики диода Д18.Постоянное прямое напряжение при Iпр=20мА не более 1,2ВПостоянное обратное максимальное напряжение равно 20ВПостоянный прямой максимальный ток -16 мАПостоянный обратный ток при Uобр=20В не более 150 мкА.А.3 Технические характеристики диода Д7Ж.Постоянное прямое напряжение при Iпр=300мА не более 0,5ВПостоянное обратное максимальное напряжение равно 400ВПостоянный прямой максимальный ток -300 мАПостоянный обратный ток при Uобр=400В не более 100 мкА.А.4 Технические характеристики стабилитрона Д814Д.Постоянное прямое напряжение при Iпр=50мА не более 1ВПостоянный обратный ток при Uобр=1В не более 0,1мкА..Напряжение стабилизации - 13ВМаксимальный ток стабилизации 7 мАМинимальный ток стабилизации 3 мА



Ïîäï.èäàòà

Âçàì.èíâ.¹

Èíâ.¹äóáë.

Ïîäï.èäàòà


ПРИЛОЖЕНИЕ Б.Испытатель маломощных транзисторов и диодов Л2-54

Б.1 Испытатель маломощных транзисторов и диодов Л2-54 предназначен дляопределения работоспособности маломощных транзисторов и диодов малой исредней мощности путем измерения их основных параметров.

Б.2 Испытатель маломощных транзисторов и диодов Л2-54 применяется приразработке, эксплуатации, испытании и ремонте радиоэлектронного оборудования влабораториях и цехах, а также в полевых условиях эксплуатации.

Б.3 Испытатель маломощных транзисторов и диодов Л2-54 обеспечиваетизмерение основных параметров маломощных транзисторов и диодов малой исредней мощности, а также напряжения стабилизации. Наличие комбинированногопитания (от сети или от батареи) и портативность создают удобство приэксплуатации.

Б.4 Технические данные испытателя маломощных транзисторов и диодовЛ2-54.

Б.4.1 Диапазон измерения обратного тока коллектора I транзистора от 0,01 до100 μA.

Б.4.2Основная погрешность измерения обратного тока коллектора транзисторане превышает ±15% от конечного значения шкалы в диапазоне измерения токов от0,01 до 0,1 μA и ±5% от конечного значения шкалы в диапазоне измерения токов от0,1 до 100 μA.

Б.4.3 Дополнительная погрешность измерения обратного тока коллекторатранзистора при изменении температуры окружающей среды от 278 К (50С) до 313К (400С) не превышает ±7,5% от конечного значения шкалы на каждые 10 К(100С) изменения температуры относительно температуры нормальных условий приизмерении тока в диапазоне от 0,01 до 0,1 μA и ±2,5% от конечного значенияшкалы па каждые 10 К (10 °С) изменения температуры относительно температурынормальных условий при измерении тока в диапазоне от 0,1 до 100 μA.

Б.4.4Диапазон измерения обратного тока диода от 0,01 до 100 μA.Б.4.5Основная погрешность измерения обратного тока диода не превышает

±15% от конечного значения шкалы в диапазоне измерения тока от 0,01 до 0,1 μA и±5% от конечного значения шкалы в диапазоне измерения тока от 0,1 до 100 μA.

Б.4.6 Дополнительная погрешность измерения обратного тока диода приизменении температуры окружающей среды от 278 К (5 °С) до 313 К (40 °С) непревышает ±7,5% от конечного значения шкалы на каждые 10 К(10 °С) изменения



Ïîäï.èäàòà

Âçàì.èíâ.¹

Èíâ.¹äóáë.

Ïîäï.èäàòà


температуры относительно температуры нормальных условий при измерении тока вдиапазоне от 0,01 до 0,1μA и ±2,5% от конечного значения шкалы на каждые 10 К(10 °С) изменения температуры относительно температуры нормальных условии приизмерении тока в диапазоне от 0,1 до 100μA.

Б.4.7 Диапазон измерения коэффициента передачи тока h21b транзистора от0,9 до 1. Предусмотрена шкала для отсчета h21 b.

Б.4.8 Основная погрешность измерения коэффициента передачи тока h21bтранзистора не превышает ±5% от разности конечного и начального значениишкалы.

Б.4.9 Дополнительная погрешность измерения коэффициента передачи токаh21b, транзистора при изменении температуры окружающей среды от 278К (500С)до 313К (400С) не превышает ±2,5% от разности конечного и начального значенийшкалы на каждые 10К (100С) изменения температуры относительно температурынормальных условий.

Б.4.10 Прибор обеспечивает контроль наличия короткого замыкания междуколлектором и эмиттером транзистора.

Б.4.11 Диапазон измерений выходной проводимости транзистора от 0,4 до 4 μS.Б.4.12 Основная погрешность измерения выходной проводимости транзистора

не превышает ±5% от конечного значения шкалы.Б.4.13 Дополнительная погрешность измерения выходной проводимости при

изменении температуры окружающей среды от 278К (50С) до 313К (400С) непревышает ±2,5% от конечного значения шкалы на каждые 10К (100С) изменениятемпературы относительно температуры нормальных условий.

Б.4.14 Частота переменного напряжения, используемого при проверкепараметров транзисторов, (1000 ±400) Гц.

Б.4.15 Прибор обеспечивает измерение параметров транзисторовпроводимости р-п-р и п-р-п в двух режимах по постоянному току:

- ток эмиттера, равный 1мА, напряжение коллектора, равное 4,5 В;- ток эмиттера, равный 5 мA, напряженно коллектора, равное 4,5 В.Б.4.16 Погрешность задания тока эмиттера и напряжения коллектора не

превышает ±3% при питании прибора от сети.При воздействии влияющих факторов и при батарейном питании прибора

погрешность задания тока эмиттера и напряжения коллектора не гарантируется.Б.4.17 Диапазон измерения прямого напряжения диода и напряжения

стабилизации стабистора от 0,1 до 3В.Б.4.18 Основная погрешность измерения прямого напряжения диода и



Ïîäï.èäàòà

Âçàì.èíâ.¹

Èíâ.¹äóáë.

Ïîäï.èäàòà


напряжения стабилизации стабистора не превышает ±5% от конечного значенияшкалы.

Б.4.19 Дополнительная погрешность измерения прямого напряжения диода инапряжения стабилизации стабистора при изменении температуры окружающейсреды от 278К (50С) до 313К (400С) не превышает ±2,5% от конечного значенияшкалы на каждые 10К (100С) изменения температуры относительно температурынормальных условий.

Б.4.20 Диапазон установки прямого тока диода от 5 до 100 мА при батарейномпитании и от 5 до 300 мА при питании прибора от сети.

Б.4.21 Основная погрешность установки прямого тока диода не превышает±2% от конечного значения шкалы.

Б.4.22 Дополнительная погрешность установки прямого тока диода приизменении температуры окружающей среды в пределах от 278К (50 С) до 313К(400С) не превышает ±2% от конечного значения шкалы на каждые 10К (100С)изменения температуры относительно температуры нормальных условий.

Б.4.23 Диапазон установки обратного напряжения диода от 10 до 400В.Б.4.24 Основная погрешность установки обратного напряжения диода не

превышает ±2% от конечного значения шкалы.Б.4.25 Время установления рабочего режима 5 минут, при котором

обеспечиваются технические характеристики прибора.Б.4.26 Питание прибора от сети переменного тока напряжением 220±22 В.

частотой 50±0,5 Гц, содержанием гармоник до 5% или от батареи (6 элементов 373).Б.4.27 Мощность, потребляемая прибором от сети при номинальном

напряжении, не превышает 12 ВА.Б.4.28 Ток, потребляемый прибором от батареи при различных режимах

работы, не превышает:а) 110 мА при измерении обратного тока диодов;б) 150 мА при измерении прямого напряжения диодов;в) 50 мА при измерении параметров транзисторов.Б.4.29 Продолжительность непрерывной работы в рабочих условиях 8 час

при питании прибора от сети. После 8 час работы повторное включение приборапроизводится с перерывом не менее 1 час.

Б.4.30 Продолжительность суммарной или непрерывной работы прибора насвежеизготовлеиных элементах 373 не менее:

а) 20 час при измерении обратного тока диодов;б) 15 час при измерении прямого напряжения диодов;



Ïîäï.èäàòà

Âçàì.èíâ.¹

Èíâ.¹äóáë.

Ïîäï.èäàòà


в) 60 час при измерении параметров транзисторов.Б.4.31 Нормальные условия эксплуатации прибора:а) температура окружающей среды 293 ±5 К (20 ±5°С);б) относительная влажность воздуха 65 ±15%;в) атмосферное давление 100 ±4 кРа (750 ±30 мм рт. ст.).Б.4.32 Габариты 300X205X185 мм.Б.4.33 Масса 6 кг.Б.5 Внешний вид испытателя маломощных транзисторов и диодов Л2-54

приведён на рисунке Б1.

Рисунок Б1- Внешний вид испытателя маломощных транзисторов и диодовЛ2-54



Ïîäï.èäàòà

Âçàì.èíâ.¹

Èíâ.¹äóáë.

Ïîäï.èäàòà


Приложение В.Технические характеристики микросхемы К155ЛА3.

В.1 Микросхема представляет собой четыре логических элемента 2И-НЕ.Корпус К155ЛА3 (см.рисунок А1 типа 201.14-1, масса не более 1 г и у

КМ155ЛА3 типа 201.14-8, масса не более 2,2 г.

РисунокВ.1- Корпус микросхемы К155ЛА3

В.2 Условно-графическое обозначение микросхемы К155ЛА3 приведено нарисунке А2.

1,2,4,5,9,10,12,13 - входы X1-X8;3 - выход Y1; 6 - выход Y2;7 - общий; 8 - выход Y3;11 - выход Y4;14 - напряжение питания.

Рисунок В.2 - Условно-графическое обозначение микросхемы К155ЛА3



Ïîäï.èäàòà

Âçàì.èíâ.¹

Èíâ.¹äóáë.

Ïîäï.èäàòà


В.3 Электрические параметры микросхемы К155ЛА3 приведены в таблице В.1.Таблица В.1

В.4 Зарубежные аналоги- SN7400N, SN7400J



Ïîäï.èäàòà

Âçàì.èíâ.¹

Èíâ.¹äóáë.

Ïîäï.èäàòà


Приложение Г.Технические данные испытателя цифровых интегральных схем Л2-60.

Г.1 Диапазоны измерения постоянных напряжений обеих полярностей и токаот 0,1 до 30 В и от 0,03 до 3 мА соответственно.

Г.2 Основная погрешность измерения постоянных напряжений обеихполярностей и тока не более ±4% от конечного значения рабочей части шкалы вустановленном поддиапазоне.

Г.3 Погрешность измерения постоянных напряжении обеих полярностей итока:

а) в интервале температур окружающей среды от 278 К (50С) до 313 К (400С)не более ±8% от конечного значения рабочей части шкалы установленногоподдиапазона;

б)при повышенной влажности не более ±8% от конечного значения рабочейчасти шкалы установленного поддиапазона.

Г.4 Диапазон установки напряжения источника E1 составляет ±(3...30) В притоке 0...60 мА. Источник обеспечивает защиту от короткого замыкания.

Г.5 Диапазон установки напряжения источника Е2 составляет ±(1...15) В притоке 0...30 мА. Источник обеспечивает защиту от короткого замыкания.

Г.6 Диапазон установки напряжения логического нуля (U0) составляет±(0,2...3) В при токе 0...3 мА.

Г.7 Диапазон установки напряжения логической единицы (U1) составляет±(U0...10) В при токе 0...3 мА.

Г.8 Время установления рабочего режима 5 мин.Г.9 Питание прибора от сети переменного тока напряжением (220 ±22) В,

частотой (50 ±0,5) Гц, содержанием гармоник до 5%.Г.10 Мощность, потребляемая прибором от сети при номинальном

напряжении, не превышает 20 ВА.Г.11 Продолжительность непрерывной работы в рабочих условиях в течение 8

часов. После 8 часов работы повторное включение прибора производится сперерывом не менее 1 часа.

Г.12 Напряжение индустриальных радиопомех не превышает, дБ:- 80 на частотах от 0,15 до 0,5 МГц;- 74 на частотах свыше 0,5 до 2,5 МГц;- 66 на частотах свыше 2,5 до 30 МГц.Г.13 Наработка на отказ не менее 10 000 часов.



Ïîäï.èäàòà

Âçàì.èíâ.¹

Èíâ.¹äóáë.

Ïîäï.èäàòà


Г.14 Средний срок службы прибора 10 лет.Г.15 Средний ресурс 8000 часов.Г.16 Срок хранения в капитальных отапливаемых хранилищах 5 лет, в

капитальных неотапливаемых хранилищах 3 года.Г.17 Габаритные размеры прибора300 ±2,5x205 ±2,5X185 ±2,5 мм.Г.18 Масса прибора не более 5 кг.Г.19 Внешний вид прибора приведен на рисунке Б1.

Рисунок Г.1 - Внешний вид испытателя цифровыхинтегральных схем Л2-60



Ïîäï.èäàòà

Âçàì.èíâ.¹

Èíâ.¹äóáë.

Ïîäï.èäàòà


Рисунок Г.2- Адаптер №3



Ïîäï.èäàòà

Âçàì.èíâ.¹

Èíâ.¹äóáë.

Ïîäï.èäàòà


Приложение Д.Пример использования прибора Л2-60.

Д.1 Пример приведён из технического описания и инструкции поэксплуатации 2.746.032 ТО испытателя цифровых интегральных схем Л2-60

Пример 1. Проверка годности микросхемы К155ЛАЗ1 Включите прибор, прогрейте в течение 5 минут.2 Установите кнопки ПИТАНИЕ в положение +.3 В гнездо 14 Е1 и гнездо 7 ⊥ установите штекеры, переключатель КОНТРОЛЬ

установите в положение 14 нажмите ключ ВКЛ. и с помощью кнопки 15, 30 и ручкиЕ1 установите по внутреннему индикатору напряжение питания микросхемы + 5В.

4 Установите переключатель в положение .5 Установите переключатель ВЫВОД ИС в положение переключатель

КОНТРОЛЬ в положение 1.6 Нажмите ключ ВКЛ. и ПУСК, с помощью ручки U0 установите напряжение

лог. 0, равное 0,4 V.7 Отпустите ключ ПУСК и с помощью ручки U0 установите напряжение лог. 1,

равное 2,4 V.8 Из рабочего комплекта выберите адаптер №3, вставьте в головку

контактную адаптера микросхему К155ЛАЗ, адаптер подключите к прибору.9 Переключатель KOHTТРОЛЬ установите в положение 3, переключатель

ВЫВОД ИС установите в положение 1.10 Нажмите ключ ВКЛ. и измерьте выходное напряжение лог.0 при помощи

внутреннего индикатора.11 Нажмите ключ ВКЛ. и ПУСК и измерьте выходное напряжение лог. 1 при

помощи внутреннего индикатора.12 Установите переключатель ВЫВОД ИС в положение 2 и аналогичным

образом измерьте выходные напряжения лог. 0 и лог. 1.13 Последовательно устанавливайте переключатель КОНТРОЛЬ в положения

6, 8, 11, а переключатель ВЫВОД ИС в положения 4, 5, 9, 10, 12, 13 соответственнои измерьте, как описано выше, уровни лог. 0 и лог. 1 на выходах 6, 8, 11 микросхемы155ЛАЗ при помощи внутреннего индикатора.

ЛАБОРАТОРНАЯРАБОТА ...›Р13...АКВТ.230113.ЛР31.0010МУ Ëèñò Èíâ....

Documents

Transcript of ЛАБОРАТОРНАЯРАБОТА ...›Р13...АКВТ.230113.ЛР31.0010МУ Ëèñò Èíâ....