Post on 04-Mar-2016
7/21/2019 Electrotehnica- Teste Multijonctiune
http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-multijonctiune 1/20
127
Capitolul 7
Dispozitive semiconductoare multijoncţiune
1.1p
Simbolul unui tiristor este prezentat în figura notată:
a)
C
G
A
b)T2
G
T1
c)
C
A
d)T2
T1
2.1p
Simbolul unui triac este prezentat în figura notată:
a)
C
G
A
b)T2
G
T1
c)
C
A
d)T2
T1
3.1p
Simbolul unei diode Shockley este prezentat în figura notată:
a)
C
G
A
b)T2
G
T1
c)
C
A
d)T2
T1
7/21/2019 Electrotehnica- Teste Multijonctiune
http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-multijonctiune 2/20
Elemente de electronică analogică - teste
128
4.1p
Simbolul unui diac este prezentat în figura notată:
a)
C
G
A
b)T2
G
T1
c)
C
A
d)T2
T1
5.3p
Structura unui tiristor este prezentată în figura notată:
a)A
G
p
n
p
n
C
b)T2
n2
p1
n
G
np n1
n’1
p2
T1
p’1
n’2
p’2
c)A
p
n
p
n
C
d)
G
G
canal
p
pn
S
n
6.3p
Structura unui triac este prezentată în figura notată:
a)A
G
p
n
p
n
C
b)T2
n2
p1
n
G
np n1
n’1
p2
T1
p’1
n’2
p’2
c)A
p
n
p
n
C
d)
G
G
canal
p
pn
S
n
7.3p Structura unei diode Shockley este prezentată în figura notată:
7/21/2019 Electrotehnica- Teste Multijonctiune
http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-multijonctiune 3/20
Dispozitive semiconductoare multijoncţ iune
129
a)A
G
p
n
p
n
C
b)T2
n2
p1
n
G
np n1
n’1
p2
T1
p’1
n’2
p’2
c)A
p
n
p
n
C
d)
G
G
canal
p
pn
S
n
8.2p
În funcţionare normală, tiristorul prezintă:
a) două stări, ambele instabile;b) două stări, una stabilă, una instabilă;
c) trei stări, toate trei stabile;d) două stări, ambele stabile.
9.2p
În funcţionare normală, tiristorul prezintă două stări:
a) stare de conducţie, stare în care tiristorul se comportă ca unscurtcircuit, şi starea de blocare stare în care tiristorul se comportă ca un circuit întrerupt;
b) stare de conducţie, stare în care tiristorul se comportă ca unscurtcircuit, şi starea instabilă stare în care tiristorul se comportă ca o rezistenţă negativă;
c) starea de blocare stare în care tiristorul se comportă ca un circuit întrerupt, şi starea instabilă stare în care tiristorul se comportă ca orezistenţă negativă;
d) stare de conducţie, stare în care tiristorul se comportă ca unamplificator, şi starea de blocare stare în care tiristorul secomportă ca un circuit întrerupt;
10.2p
Procesul de amorsare al tiristorului reprezintă:
a) tranziţia de la starea de blocare la starea în care tiristorul secomportă ca o rezistenţă negativă;
b) tranziţia de la starea de conducţie la starea în care tiristorul secomportă ca o rezistenţă negativă;
c) tranziţia de la starea de conducţie la starea de blocare;d) tranziţia de la starea de blocare la starea de conducţie.
11 Procesul de amorsare al tiristorului reprezintă tranziţia de la starea de
7/21/2019 Electrotehnica- Teste Multijonctiune
http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-multijonctiune 4/20
Elemente de electronică analogică - teste
130
2p blocare la starea de conducţie. Pentru a se realiza această tranzitie estenecesar:a) să fie îndeplinite una dintre următoarele condiţii: polarizare directă
a tiristorului sau comandă pe poartă;b) să fie îndeplinite simultan două condiţii: polarizare directă a
tiristorului şi comandă pe poartă;c) şi suficient ca tiristorul să fie polarizat direct;d) şi suficient să existe comandă pe poartă.
12.2p
Tiristorul poate fi conceput având în structura sa două tranzistoareconectate ca în figura:a)
A
G
C
T1
T2
b)
C
G
A
T1
T2
c)
C
G
A
T1
T2
d)
C
G
A
T1
T
13.2p
Tiristorul poate fi conceput având în structura sa două tranzistoareconectate ca în figura 7.1. Amorsarea tiristorului poate fi explicată prinfaptul că modul de conectare al celor două tranzistoare permitedeclanşarea unui proces regenerativ în structură prezentat în figura:
C
G
A
T1
T2
Figura 7.1
a) ( )
⇐⇐⇐⇐⇐⇐⇐
⇓⇑
↑⇒↑⇒↑=⇒↑⇒↑12211 T T T T T BC BC BG iiiiii
b) ( )
⇐⇐⇐⇐⇐⇐⇐
⇓⇑
↑⇒↑⇒↑=⇒↑⇒↑12212 T T T T T BC BC BG iiiiii
7/21/2019 Electrotehnica- Teste Multijonctiune
http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-multijonctiune 5/20
Dispozitive semiconductoare multijoncţ iune
131
c) ( )
⇐⇐⇐⇐⇐⇐⇐
⇓⇑
↑⇒↑⇒↑=⇒↑⇒↑ 11221 T T T T T BC BC BG iiiiii
d) ( )
⇐⇐⇐⇐⇐⇐⇐
⇓⇑
↑⇒↑⇒↑=⇒↑⇒↑12111 T T T T T BC BC BG iiiiii
14.3p
Tiristorul poate fi conceput având în structura sa două tranzistoareconectate ca în figura 7.1. Amorsarea tiristorului poate fi explicată prinfaptul că modul de conectare al celor două tranzistoare permitedeclanşarea unui proces regenerativ în structură prezentat în figura7.2.Mecanismul este :
( )
⇐⇐⇐⇐⇐⇐⇐
⇓⇑
↑⇒↑⇒↑=⇒↑⇒↑12211 T T T T T BC BC BG iiiiii
a) pornit prin injectarea unui curent pe grilă şi ia sfârşit prin blocareacelor două tranzistoare;
b) pornit prin injectarea unui curent pe grilă şi ia sfârşit prin blocareatranzistorului T1 şi saturarea tranzistorului T2;
c) pornit prin injectarea unui curent pe grilă şi ia sfârşit prin saturareacelor două tranzistoare;
d) pornit prin injectarea unui curent pe grilă şi ia sfârşit prin blocareatranzistorului T1 şi saturarea tranzistorului T2.
15.3p
În practică există posibilitatea apariţiei aşa numitelor amorsări parazite,amorsări ce trebuie evitate. Există în principal doi factori care pot danaştere acestor amorsări:
a) dispersia parametrilor sau efectuldt
di A ;
b) dispersia parametrilor sau efectuldt
dv A ;
c) temperatura sau efectuldt
di A ;
d) temperatura sau efectuldt
dv A ;
16.2p
Procesul de dezamorsare al tiristorului reprezintă:
7/21/2019 Electrotehnica- Teste Multijonctiune
http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-multijonctiune 6/20
Elemente de electronică analogică - teste
132
a) tranziţia de la starea de conducţie la starea în care tiristorul secomportă ca o rezistenţă negativă;b) tranziţia de la starea de conducţie la starea în care tiristorul se
comportă ca o rezistenţă negativă;c) tranziţia de la starea de conducţie la starea de blocare;d) tranziţia de la starea de blocare la starea de conducţie.
17.2p
Procesul de dezamorsare al tiristorului reprezintă tranziţia de la starea deconducţie la starea de blocare. Pentru a se realiza această tranzitie estenecesar:
a) H G ii <
b) H G ii >
c) H A ii < d) H A ii >
unde:iH poartă numele de curent de menţinereiA curent anodiciG curent de grilă
18.2p
Blocarea tiristorului clasic se realizează practic prin două metode. Unadintre ele este:
a) polarizarea inversă a tiristorului;b) injectarea unui curent pe poartă;c) polarizarea inversă a joncţiunii poartă catod;
d) comandă pe poartă şi polarizare inversă a tiristorului.
19.2p
Blocarea tiristorului clasic se realizează practic prin două metode. Unadintre ele este:
a) proiectarea unui circuit special de stingere;b) injectarea unui curent pe poartă;c) polarizarea inversă a joncţiunii poartă catod;d) comandă pe poartă şi polarizare inversă a tiristorului.
20.3p
În cazul unui tiristor clasic:
a) grila comandă atât amorsarea cât şi dezamorsarea;
b) după amorsare grila î şi pierde rolul;c) uneori grila comandă amorsarea alteori dezamorsarea;d) rolul grilei este dictat de circuitul exterior.
7/21/2019 Electrotehnica- Teste Multijonctiune
http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-multijonctiune 7/20
Dispozitive semiconductoare multijoncţ iune
133
21.2p
Caracteristica statică a unui tiristor este prezentată în figura notată:
a)
vA
iA
VH
IH HVBR
VBD1
b)
vT1T2
iT1T2
c)
vA
iA
VH
IH H
VBD
VBR
VBD1
d.)
vT1T2
iT1T2
22.2p
Caracteristica statică a unui diac este prezentată în figura notată:
a)
vA
iA
VH
IH HVBR
VBD1
b)
vT1T2
iT1T2
c)
vA
iA
VH
IH H
VBD
VBR
VBD1
d.)
vT1T2
iT1T2
23.2p
Caracteristica statică a unei diode Shockley este prezentată în figuranotată:
7/21/2019 Electrotehnica- Teste Multijonctiune
http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-multijonctiune 8/20
Elemente de electronică analogică - teste
134
a)
vA
iA
VH
IH HVBR
VBD1
b)
vT1T2
iT1T2
c)
vA
iA
VH
IH H
VBD
VBR
VBD1
d.)
vT1T2
iT1T2
24.2p
Caracteristica statică a unui triac este prezentată în figura notată:
a)
vA
iA
VH
IH HVBR
VBD1
b)
vT1T2
iT1T2
c)
vA
iA
VH
IH H
VBD
VBR
VBD1
d.)
vT1T2
iT1T2
25.1p
Caracteristica statică a unui tiristor este prezentată în figura 7.2. Cu 1 estenotată:
7/21/2019 Electrotehnica- Teste Multijonctiune
http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-multijonctiune 9/20
Dispozitive semiconductoare multijoncţ iune
135
vA
iA
VH
IH H
VBD1VBD3 VBD2
VBR
1
2
3
4
5
iG0=0
iG1>iG0
Figura 7.2
a) regiune de străpungere; regiune nefolosită în funcţionare normală
întrucât tiristorul se distruge dacă punctul de funcţionare ajunge înaceastă regiune.
b) regiune de blocare la polarizare inversă; împreună cu regiunea deblocare la polarizare directă constituie una dintre cele două stăristabile ale tiristorului
c) regiune de blocare la polarizare directă; ; împreună cu regiunea deblocare la polarizare invesă constituie una dintre cele două stăristabile ale tiristorului
d) regiune de rezistenţă negativă; stare instabilă; neutilizată în modnormal.
25.1p
Caracteristica statică a unui tiristor este prezentată în figura 7.2. Cu 2 estenotată:
a) regiune de blocare la polarizare inversă; împreună cu regiunea deblocare la polarizare directă constituie una dintre cele două stăristabile ale tiristorului
b) regiune de blocare la polarizare directă; ; împreună cu regiunea deblocare la polarizare invesă constituie una dintre cele două stăristabile ale tiristorului
c) regiune de rezistenţă negativă; stare instabilă; neutilizată în modnormal.
d) regiune de conducţie; constituie una dintre cele două stări stabileale tiristorului
26.1p
Caracteristica statică a unui tiristor este prezentată în figura 7.2. Cu 3 estenotată:
a) regiune de blocare la polarizare inversă; împreună cu regiunea deblocare la polarizare directă constituie una dintre cele două stări
7/21/2019 Electrotehnica- Teste Multijonctiune
http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-multijonctiune 10/20
Elemente de electronică analogică - teste
136
stabile ale tiristoruluib) regiune de blocare la polarizare directă; ; împreună cu regiunea deblocare la polarizare invesă constituie una dintre cele două stăristabile ale tiristorului
c) regiune de rezistenţă negativă; stare instabilă; neutilizată în modnormal.
d) regiune de conducţie; constituie una dintre cele două stări stabileale tiristorului
27.1p
Caracteristica statică a unui tiristor este prezentată în figura 7.2. Cu 4 estenotată:
a) regiune de blocare la polarizare inversă; împreună cu regiunea deblocare la polarizare directă constituie una dintre cele două stări
stabile ale tiristoruluib) regiune de blocare la polarizare directă; ; împreună cu regiunea de
blocare la polarizare invesă constituie una dintre cele două stăristabile ale tiristorului
c) regiune de rezistenţă negativă; stare instabilă; neutilizată în modnormal.
d) regiune de conducţie; constituie una dintre cele două stări stabileale tiristorului
28.1p
Caracteristica statică a unui tiristor este prezentată în figura 7.2. Cu 5 estenotată:
a) regiune de blocare la polarizare inversă; împreună cu regiunea deblocare la polarizare directă constituie una dintre cele două stări
stabile ale tiristoruluib) regiune de blocare la polarizare directă; ; împreună cu regiunea de
blocare la polarizare invesă constituie una dintre cele două stăristabile ale tiristorului
c) regiune de rezistenţă negativă; stare instabilă; neutilizată în modnormal.
d) regiune de conducţie; constituie una dintre cele două stări stabileale tiristorului
29.1p
Caracteristica statică a unui tiristor este prezentată în figura 7.3. Cu 1 estenotată:
7/21/2019 Electrotehnica- Teste Multijonctiune
http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-multijonctiune 11/20
Dispozitive semiconductoare multijoncţ iune
137
vT1T2
iT1T2
1
23
4
56
iG1 iG2
iG3 iG4
Figura 7.3
a) regiune de străpungere;b) regiune de blocare;c) regiune de rezistenţă negativă;d) regiune de conducţie;
30.1p
Caracteristica statică a unui tiristor este prezentată în figura 7.3. Cu 2 estenotată:
a) regiune de străpungere;b) regiune de blocare;c) regiune de rezistenţă negativă;d) regiune de conducţie;
31.1p
Caracteristica statică a unui tiristor este prezentată în figura 7.3. Cu 3 estenotată:
a) regiune de străpungere;b) regiune de blocare;c) regiune de rezistenţă negativă;d) regiune de conducţie;
32.1p
Caracteristica statică a unui tiristor este prezentată în figura 7.3. Cu 4 estenotată:
a) regiune de străpungere;b) regiune de blocare;c) regiune de rezistenţă negativă;d) regiune de conducţie;
33.
1p
Caracteristica statică a unui tiristor este prezentată în figura 7.3. Cu 5 este
notată:a) regiune de străpungere;b) regiune de blocare;
7/21/2019 Electrotehnica- Teste Multijonctiune
http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-multijonctiune 12/20
Elemente de electronică analogică - teste
138
c) regiune de rezistenţă negativă;d) regiune de conducţie;
34.1p
Caracteristica statică a unui tiristor este prezentată în figura 7.3. Cu 6 estenotată:
a) regiune de străpungere;b) regiune de blocare;c) regiune de rezistenţă negativă;d) regiune de conducţie;
35.1p
Caracteristica statică a unei diode Shockley este prezentată în figura 7.4.Cu 1 este notată:
vA
iA
VH
IH H
VBD
VBR
1
2
3
4
5
Figura 7.4
a) regiune de străpungere;b) regiune de blocare la polarizare inversă;c) regiune de blocare la polarizare directă;d) regiune de rezistenţă negativă.
36.1p
Caracteristica statică a unei diode Shockley este prezentată în figura 7.4.Cu 2 este notată:
a) regiune de blocare la polarizare inversă;b) regiune de blocare la polarizare directă;c) regiune de rezistenţă negativă.d) regiune de conducţie.
37.1p
Caracteristica statică a unei diode Shockley este prezentată în figura 7.4.Cu 3 este notată:
a) regiune de blocare la polarizare inversă;b) regiune de blocare la polarizare directă;
c) regiune de rezistenţă negativă.d) regiune de conducţie.
7/21/2019 Electrotehnica- Teste Multijonctiune
http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-multijonctiune 13/20
Dispozitive semiconductoare multijoncţ iune
139
38.1p Caracteristica statică a unei diode Shockley este prezentată în figura 7.4.Cu 4 este notată:
a) regiune de blocare la polarizare inversă;b) regiune de blocare la polarizare directă;c) regiune de rezistenţă negativă.d) regiune de conducţie.
39.1p
Caracteristica statică a unei diode Shockley este prezentată în figura 7.4.Cu 5 este notată:
a) regiune de blocare la polarizare inversă;b) regiune de blocare la polarizare directă;c) regiune de rezistenţă negativă.d) regiune de conducţie.
40.1p
Caracteristica statică a unui diac este prezentată în figura 7.5. Cu 1 estenotată:
vT1T2
iT1T2
1
2
3
4
5
6
Figura 7.5a) regiune de străpungere;b) regiune de blocare;c) regiune de rezistenţă negativă;d) regiune de conducţie;
41.1p
Caracteristica statică a unui diac este prezentată în figura 7.5. Cu 2 estenotată:
a) regiune de străpungere;b) regiune de blocare;c) regiune de rezistenţă negativă;d) regiune de conducţie;
42.1p Caracteristica statică a unui diac este prezentată în figura 7.5. Cu 3 estenotată:a) regiune de străpungere;
7/21/2019 Electrotehnica- Teste Multijonctiune
http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-multijonctiune 14/20
Elemente de electronică analogică - teste
140
b) regiune de blocare;c) regiune de rezistenţă negativă;d) regiune de conducţie;
43.1p
Caracteristica statică a unui diac este prezentată în figura 7.5. Cu 4 estenotată:
a) regiune de străpungere;b) regiune de blocare;c) regiune de rezistenţă negativă;d) regiune de conducţie;
44.1p
Caracteristica statică a unui diac este prezentată în figura 7.5. Cu 5 estenotată:
a) regiune de străpungere;b) regiune de blocare;c) regiune de rezistenţă negativă;d) regiune de conducţie;
45.1p
Caracteristica statică a unui diac este prezentată în figura 7.5. Cu 6 estenotată:
a) regiune de străpungere;b) regiune de blocare;c) regiune de rezistenţă negativă;d) regiune de conducţie;
46.
2p
Tiristorul blocat se modelează ca în figura notată:
a)
C
A
b)
C
A
c)
C
A
E
d)
C
A
E
47.2p
Tiristorul în conductie se modelează ca în figura notată:
7/21/2019 Electrotehnica- Teste Multijonctiune
http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-multijonctiune 15/20
Dispozitive semiconductoare multijoncţ iune
141
a)
C
Ab)
C
Ac)
C
A
E
d)
C
A
E
48.4p
Figura 7.6 prezintă un redresor monoalternanţă comandat. Figura 7.7prezintă modul de variaţie în timp a tensiunii de alimentare Vs şi acurentului de comandă aplicat pe grila tiristorului iG. În aceste condiţii,căderea de tensiune (vA) pe tiristor este prezentată în figura notată:
RL
Tr
vA
Vp
iL
Vs iG
vL
T
vs
iG
t
t
Figura 7.6 Figura 7.7
a)
vs
iG
vA t
t
t
b)
vs
iG
vA t
t
t
c)
vs
iG
vA t
t
t
d)
vs
iG
vA t
t
t
49. Figura 7.6 prezintă un redresor monoalternanţă comandat. Figura 7.7
7/21/2019 Electrotehnica- Teste Multijonctiune
http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-multijonctiune 16/20
Elemente de electronică analogică - teste
142
4p prezintă modul de variaţie în timp a tensiunii de alimentare Vs şi acurentului de comandă aplicat pe grila tiristorului iG. În aceste condiţii,căderea de tensiune (vL) pe rezistorul de sarcină tiristor este prezentată înfigura notată:
RL
Tr
vA
Vp
iL
Vs iG
vL
T
vs
iG
t
t
Figura 7.6 Figura 7.7
a)vs
iG
vL t
t
t
b)vs
iG
vL t
t
t
c)
vs
iG
vL t
t
t
d)
vs
iG
vL t
t
t
502p
Figura 7.6 prezintă un redresor monoalternanţă comandat. În condiţiile încare tiristorul este în conducţie această schemă se modelează ca în figuranotată:
7/21/2019 Electrotehnica- Teste Multijonctiune
http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-multijonctiune 17/20
Dispozitive semiconductoare multijoncţ iune
143
a)
RL
Tr
vA
Vp
iL
Vs vL
T
c)
RL
Tr
vA
Vp
iL
Vs vL
T
c)
RL
Tr
vA
Vp
iL
VsvL
T
d)
RL
Tr
vA
Vp
iL
VsvL
T
512p
Figura 7.6 prezintă un redresor monoalternanţă comandat. În condiţiile încare tiristorul este blocat această schemă se modelează ca în figura notată:a)
RL
Tr
vA
Vp
iL
Vs vL
T
c)
RL
Tr
vA
Vp
iL
Vs vL
T
c)
RL
Tr
vA
Vp
iL
VsvL
T
d)
RL
Tr
vA
Vp
iL
VsvL
T
524p
Figura 7.6 prezintă un redresor monoalternanţă comandat. Formele undă care caracterizează funcţionarea sunt prezentate în figura 7.8. În condiţiile în care tensiunea din secundarul transformatorului are expresia
( ) t V t v sS ω sin= cădere de tensiune de pe sarcină (vL) are expresia:
7/21/2019 Electrotehnica- Teste Multijonctiune
http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-multijonctiune 18/20
Elemente de electronică analogică - teste
144
vs
iG
vL
t1
vAt
0
t
t
t2 t3t4 t5 t6t7 t8t
Figura 7.8
a) { }
++∈
+++∈=
∈
∈
Z k
Z k s
LkT t kT t t pentru
kT t kT t kT t kT t pentrut V t v
),(0
),(),(sin)(
11
321 Uω
b) { }
++∈
+++∈=
∈
∈
Z k s
Z k
LkT t kT t t pentrut V
kT t kT t kT t kT t pentrut v
),(sin2
),(),(0)(
11
321
ω
U
c) { }
++∈
+++∈=
∈
∈
Z k
Z k s
LkT t kT t t pentru
kT t kT t kT t kT t pentrut V t v
),(0
),(),(sin2)(
11
321 Uω
d) { }
++∈
+++∈=
∈
∈
Z k s
Z k
LkT t kT t t pentrut V
kT t kT t kT t kT t pentrut v
),(sin
),(),(0)(
11
321
ω
U
534p
Figura 7.9 prezintă o aplicaţie tipică pentru funcţionarea unui triac.Funcţionarea acestui circuit este descrisă de formele de unda reprezentate în figura notată:
RL
Tr
vA
Vp
iL
Vs
iG
vL
Tc
Figura 7.9
7/21/2019 Electrotehnica- Teste Multijonctiune
http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-multijonctiune 19/20
Dispozitive semiconductoare multijoncţ iune
145
a)vs
iG
vL
vT1T2 t
t
t
t
b)vs
iG
vL
vT1T2t
t
t
t
c)vs
iG
vL
vT1T2 t
t
t
t
d)vs
iG
vL
vT1T2 t
t
t
t
7/21/2019 Electrotehnica- Teste Multijonctiune
http://slidepdf.com/reader/full/electrotehnica-teste-multijonctiune 20/20
Elemente de electronică analogică - teste
146
Ră spunsuri
1. Răspuns corect a) 31. Răspuns corect b.)2. Răspuns corect b.) 32. Răspuns corect b.)3. Răspuns corect c) 33. Răspuns corect c.)4. Răspuns corect d) 34. Răspuns corect c.)5. Răspuns corect a) 35. Răspuns corect a.)6. Răspuns corect b) 36. Răspuns corect a.)7. Răspuns corect c.) 37. Răspuns corect b.)
8. Răspuns corect d) 38. Răspuns corect c.)9. Răspuns corect a) 39. Răspuns corect d.)10. Răspuns corect d) 40. Răspuns corect d.)11. Răspuns corect b) 41. Răspuns corect c.)12. Răspuns corect b) 42. Răspuns corect b.)13. Răspuns corect a) 43. Răspuns corect b.)14. Răspuns corect c) 44. Răspuns corect c.)15. Răspuns corect d) 45. Răspuns corect d.)16. Răspuns corect c) 46. Răspuns corect b.)17. Răspuns corect c) 47. Răspuns corect a.)18. Răspuns corect a) 48. Răspuns corect b)19. Răspuns corect a) 49. Răspuns corect d)20. Răspuns corect b) 50. Răspuns corect d)
21. Răspuns corect a) 51. Răspuns corect c)22. Răspuns corect b) 52. Răspuns corect d.)23. Răspuns corect c) 53. Răspuns corect d)24. Răspuns corect d)25. Răspuns corect a)25. Răspuns corect a)26. Răspuns corect b)27. Răspuns corect c)28. Răspuns corect d.)29. Răspuns corect d)30. Răspuns corect c.)