Dispoptic 20101 Resumo anterior Aplicações de Raio-X –Área Analítica –Área de Imagem Luz...

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Dispoptic 2010 1

Resumo anterior

• Aplicações de Raio-X– Área Analítica

– Área de Imagem

• Luz sincrotron

• Óptica de raio-x, policapilaridade

• Microscopia de raio-x

• Laser de raio-x (brandos e duros)

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Desde que vimos como são as diferentes formas dos cristais, vejamos como são

formados De ligações a bandas

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Formação de um sólido

• Átomos livres• Configuração eletrônica dos átomos• Aproximação dos átomos• Diferentes tipos de forças interatômicas:

coulômbica, repulsão, covalente• Formação de bandas de energia• Formação de sólidos• Diferentes tipos de sólidos: metal, isolante,

semicondutor

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Diferentes tipos de forças interatômicas

• Eletrostática ~ 20 kJ/mol

• van der Waals 0.4 – 4 kJ/mol

• Hidrogênica 12 – 30 kJ/mol

• Covalente ~ 350 kJ/mol

• Outras forças fracas ou desprezíveis:

magnética e gravitacional

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Principais tipos de ligações

• Van der Waals• Iônica• Metálica• Covalente

E/kJ/m

ol

r/Å

-0.5

0

+0.5

1 2 3 4 5

repulsão

soma

atração

Argon xstal: http://www.webelements.com/argon/crystal_structure_pdb.html

Sodium xstal: http://www.webelements.com/sodium/crystal_structure_pdb.html

Carbon xstal; http://www.webelements.com/carbon/crystal_structure_pdb.html

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Alguns tipos de ligações

Na+ Cl-                                     Ligação Iônica

Cl : Cl                                     Ligação covalente não-polar

[H : Cl]                                     Ligação covalente polar

http://www.chemistry.mcmaster.ca/esam/intro.html

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Num sólido iônico

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Formação de bandas

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Átomo de hidrogênio

http://www.webelements.com/webelements/scholar/elements/hydrogen/electronic.html

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Molécula de hidrogênio

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Distribuição de elétrons e energias de OM

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Distribuição de carga homo-heteropolar

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Distribuição de carga e distribuição de ligação

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Lítio 1s22s

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Formação de bandas de energia, número de estados

Átomos de Na (1s22s22p63s)

Número atômico 11

2 átomos 3 átomosN átomos

(1023 átomos/cm3)

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Bandas de energia do Na com N átomos

2(2l+1)elétrons

2 = fator de orientação do spin

2l+1 = número de possíveis orientações do momento angular orbital

2(2l+1)N = capacidade de cada banda para N átomos

Átomos de Na (1s22s22p63s)

Número atômico 11

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Classificação de sólidos

• Metal

• Semicondutor

• Isolante

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Em termos de bandas

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Outra representação

Schematic band diagrams for an insulator, a semiconductor, and a metal.

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Formação de bandas de energia a partir dos níveis de energia dos átomos constituintes

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Exemplo configuração banda de energia do Li

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Estrutura de banda de isolante e semicondutor (cristal molecular)

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Bandas de energia de níveis permitidos no diamante

1s22s22p2

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Teoria de Bandas : duas maneiras• Duas aproximações para encontrar as energias dos elétrons associados com

os átomos numa rede periódica. • 1.- Aproximação de elétron ligado (energia de átomos singulares)

– Os átomos isolados são juntados para formar um sólido.• 2.- Aproximação de elétron livre (não ligado) (E = p2/2m)

– Elétrons livres modificado por um potencial periódico, i.e. rede de íons. • Ambas as aproximações resultam em níveis de energia agrupados com

regiões de energia permitida e proibidas. – Bandas de energia se sobrepõem em metais. – Bandas de energia não se sobrepõem (ou possuem região proibida) para

semicondutores.

Ver Charles Kittel – Introduction to Solid State Physics

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A wide range of energies can cause electrons to be excited from the valence band to the conduction band (absorption; figure shows electronic transitions, A, and corresponding absorption spectrum, B).

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Excited electrons will drop from the bottom of the conduction band into the top of the valence band with the emission of light with a very narrow band width (emission; figure shows an electronic transition, A, and corresponding emission spectrum, B)

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Diagrama de Banda: Isolante com Egap grande

• Em T = 0, a banda de valência inferior é preenchida com elétrons e a banda de condução está vazia, conseqüentemente condutividade zero. – A energia de Fermi EF está no meio da banda proibida (2-10 eV)

entre as bandas de condução e valência. • Em T > 0, os elétrons não são termicamente excitados da banda de

valência à banda de condução, conseqüentemente também condutividade zero.

EF

EC

EV

Banda de condução(vazio)

Banda de valência(cheio)

Egap

T > 0

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• Em T = 0 K, elétrons tem 100% probabilidade de estar abaixo da energia de Fermi EF e 0% probabilidade de estar acima de EF. Em T > 0 K, probabilidade diminui abaixo de EF e aumenta acima de EF, provocando que a função degrau passe a ser mais suave (escorregadia?).

1

1F

FD EkET

f E

e

Diagrama de Bandas: Função de preenchimento de Fermi-Dirac

• Probabilidade dos elétrons (férmions) serem encontrados em vários níveis de energia.

• Em TA, E – EF = 0.05 eV f(E) = 0.12 E – EF = 7.5 eV f(E) = 10 –129

• Efeito enorme da dependência exponencial

Fermi : http://jas.eng.buffalo.edu/education/semicon/fermi/functionAndStates/functionAndStates.html

T > 0 T >> 0T = 0 K

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• Em T = 0, níveis de energia abaixo de EF são preenchidos com elétrons, entretanto todos os níveis acima de EF estão vazios.

• Os elétrons são livres para se movimentar dentro dos estados vazios da banda de condução com somente um pequeno campo elétrico aplicado E, teremos alta condutividade elétrica.

• Em T > 0, os elétrons tem uma probabilidade de serem termicamente excitados a partir de níveis abaixo do nível de energia de Fermi para acima.

Diagrama de Banda: Metal

EF

EC,V

EF

EC,V

Função de preenchimento

Banda de energia a ser preenchida

T > 0T = 0 K

preenchimento da banda.

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Junção pn, diodos, LED’s e diodos lasers

• Semicondutor tipo p, tipo n

• Junção pn, circuitos diretos e reversos

• Equações de transporte

• LED

• OLED

• Diodo laser

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Próxima aula será sobre junção pn e emissores de luz