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Tektronix 370A の自動計測制御仕様書

株式会社ビー・テクノロジー堀米　毅

http://www.bee-tech.com

2

Tektronix 370A

Measurment Aplication for 370A

GPIB Control

SYSTEMAplication

SONY VAIOZ-505CR/K

GPIB 制御

3

対象分類Bipolar Junction TransistorMOSFET

Tektronix 370A の自動計測制御

目的SPICE MODEL に必要な測定の自動計測及び測定データの収集を Microsoft Excel にて出力する。

手順STEP1: 対象分類の選択とリミット値を入力する。STEP2:Tektronix 370A 自動計測STEP3: 測定データの出力 (Excel 形式 ) にて指定された フォルダに格納される。

4

Bipolar Junction Transistor

逆方向特性

順方向特性

Measurement1

Measurement2

冶具交換

Measurement3

Measurement4

Measurement5

Measurement6

5

Measurement1

Bipolar family of curves(Reverse opration)

Ic

Vce

VAR

Output

数値データ

一次関数の解を算出する

マクロ

6

Measurement2

Reverse DC Beta

Output

Input:Vec= (V)

Ie(A) Ib(A)

0.001

0.002

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

1

2

Ie(A) Ib(A) hFE

0.001 =Ie/Ib

0.002

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

1

2

リミット値を設定する

Ie(A) hFE

0.001 =Ie/Ib

0.002

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

1

2

7

Measurement3

Vbe(sat) voltage

Output

Ic(A) Ib(A) Vbe(V)

0.5 0.1

1.25 0.25

2.5 0.5

5 1

Ic(A) Ib(A) Vbe(V)

0.5

1.25

2.5

5

リミット値を設定するIc(A) Vbe(V)

0.5

1.25

2.5

5

8

Measurement4

hoeOutput

Ic1(A) Vce1(V) Ic2(A) Vce2(V)

1 1.05

2 2.1

5 5.25Ic1(A) hoe

1

2

5

Input:Vec= (V)

Ic2=Ic1*1.05

Ic1(A) Vce1(V) Ic2(A) Vce2(V) hoe

1 1.05

2 2.1

5 5.25

Hoe のセルの計算式

Z=(Vce2-Vce1)/(Ic2-Ic1)hoe=1/Z=(Ic2-Ic1)/(Vce2-Vce1)

リミット値を設定する

9

Measurement5

Bipolar family of curves(Forward opration)

Output

数値データ

一次関数の解を算出する

マクロ

Ic

Vce

10

Measurement6

Forward DC Beta(Ic-hFE)Output

Input:Vec= (V)

リミット値を設定する

Ic(A) Ib(A)

0.001

0.002

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

1

2

4

6

8

10

Ic(A) Ib(A) hFE

0.001 =Ic/Ib

0.002

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

1

2

4

6

8

10

Ic(A) hFE

0.001 =Ic/Ib

0.002

0.005

0.01

……

11

Measurement7

Vce(sat) voltage

Output

Ic(A) Ib(A) Vce(sat)(V)

0.5 0.1

1.25 0.25

2.5 0.5

5 1

Ic(A) Ib(A) Vce(sat)(V)

0.5

1.25

2.5

5

リミット値を設定するIc(A) Vce(sat)(V)

0.5

1.25

2.5

5

12

MOSFETMeasurement1

Measurement2

Measurement3

Measurement4

Measurement5

MOSFET

冶具交換

MOSFET BODY DIODE

Body Diode

D

S

G

13

Measurement1 Output

Id1(A) Vgs1(V) Id2(A) Vgs2(V)

0.1 0.11

0.2 0.22

0.5 0.55

1 1.1

2 2.2

5 5.5

10 11

20 22

50 55

Id2=Id1*1.1

Id1(A) Vgs1(V) Id2(A) Vgs2(V) gfs(s)

0.1 0.11

0.2 0.22

0.5 0.55

1 1.1

2 2.2

5 5.5

10 11

20 22

50 55

Hoe のセルの計算式

gfs=(Id2-Id1)/(Vgs2-Vgs1)

リミット値を設定する

Id1(A) gfs(s)

0.1

0.2

0.5

1

2

5

10

20

50

14

Measurement2Output

Id(A) Vgs(V)

0.001

0.002

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

1

2

5

リミット値を設定する

Vgs(V) Id(A)

0.001

0.002

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

1

2

5

15

Measurement3OutputRds(on) 測定

Rds(on)=Id=Vgs=

16

Measurement4OutputIdss 測定

Idss=Vds=

17

Measurement5

Output

Body Diode:I-V curve (IF-VF 特性：ダイオード測定 )

Is(A) Vsd(V)

0.001

0.002

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

1

2

5

10

リミット値を設定する

Body Diode

D

S

G

Is(A) Vsd(V)

0.001

0.002

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

1

2

5

10

Is は IF に相当Vsd は VF に相当