1. （）何謂奈米的單位（ 1 ） mm （ 2 ） um （ 3 ） cm

（ 4 ） nm

1. （ 4 ）何謂奈米的單位（ 1 ） mm （ 2 ） um （ 3 ） cm

（ 4 ） nm

2. （）奈米線為一維奈米材料

2. （ ○ ）奈米線為一維奈米材料

3. （）本實驗奈米線合成的材料為何

3. （ ZnO ）本實驗奈米線合成的材料為何

4. （）本實驗合成奈米線的溫度

4. （ 500 ℃ ）本實驗合成奈米線的溫度

5. （）本實驗合成奈米線所通入的氣體（ 1 ） Cl2 （ 2 ） O2 （ 3 ） N2

（ 4 ） H2

5. （ 2 ）本實驗合成奈米線所通入的氣體（ 1 ） Cl2 （ 2 ） O2 （ 3 ）

N2 （ 4 ） H2

6. （）本實驗合成奈米線的機制

6. （ VLS,VS ）本實驗合成奈米線的機制

7. （） VLS 為何

7. （氣相 - 液相 - 固相） VLS 為何

8. （） VS 為何

8. （氣相 - 固相） VS 為何

9. （）本實驗合成奈米線的觸媒為何

9. （金）本實驗合成奈米線的觸媒為何

10. （）本實驗合成奈米線使用的基板為何

10. （矽 , 氧化鋁）本實驗合成奈米線使用的基板為何

11. （） ZnO 奈米線的晶體結構

11. （ HCP ） ZnO 奈米線的晶體結構

12. （） ZnO 為半導體材料

12. （ ○ ） ZnO 為半導體材料

13. （） ZnO 為寬能隙半導體

13. （ ○ ） ZnO 為寬能隙半導體

14. （） ZnO 為功能性氧化物

14. （ ○ ） ZnO 為功能性氧化物

15. （） HCP 的 APF 為何

15. （ 0.74 ） HCP 的 APF 為何

16. （） ZnO 奈米線的 Lattice constants at room temp 為 a=3.250,

c=5.205

16. （ ○ ） ZnO 奈米線的Lattice constants at room temp 為

a=3.250, c=5.205

17. （） ZnO 為 P-Type

17. （ ○ ） ZnO 為 P-Type

18. （）合成奈米線時須放置在爐管中央

18. （ ○ ）合成奈米線時須放置在爐管中央

19. （）本實驗鋅粉取（ 1 ） 0.3 g （ 2 ） 1.0 g （ 3 ） 2.0g

（ 4 ） 3.3 g

19. （ 1 ）本實驗鋅粉取（ 1 ） 0.3 g （ 2 ） 1.0 g （ 3 ） 2.0g

（ 4 ） 3.3 g

20. （） ZnO 奈米線摻雜何種材料

20. （ Al ） ZnO 奈米線摻雜何種材料

21. （）奈米線具有高比表面積

21. （○）奈米線具有高比表面積

22. （）奈米線易於應用感測元件

22. （ ○ ）奈米線易於應用感測元件

23. （）奈米線易於應用雷測元件

23. （○）奈米線易於應用雷測元件

24. （） SEM 全名

24. （掃描式電子顯微鏡） SEM 全名

25. （） TEM 全名

25. （穿透式電子顯微鏡） TEM全 名

26. （） SEM 試片製作需鍍金

26. （○） SEM 試片製作需鍍金

27. （）製作奈米線的 TEM 試片必需使用超音波震盪

27. （ ○ ）製作奈米線的 TEM 試片必需使用超音波震盪

28. （）超音波震盪使用時間為 20分

28. （ × ）超音波震盪使用時間為20 分

29. （）如何判定是 VLS 或 VS

29. （有無鍍金）如何判定是 VLS或 VS

30. （）分析起始電場與飽和電流曲線稱為場發射特性

30. （ ○ ）分析起始電場與飽和電流曲線稱為場發射特性

31. （）分析感測元件對酒精氣體的反應時間與回覆時間稱為氣體

感測

31. （ ○ ）分析感測元件對酒精氣體的反應時間與回覆時間稱為

氣體感測

32. （）分析 UV 燈源照射下 , 感測元件之反應時間與回覆時間稱

為 UV 感測

32. （○）分析 UV 燈源照射下 ,感測元件之反應時間與回覆時間

稱為 UV 感測

33. （） UV 稱為紫外光

33. （ ○ ） UV 稱為紫外光

34. （）分析場發射特性時需抽真空

34. （○）分析場發射特性時需抽真空

35. （） 50 Torr 稱為低真空

35. （○） 50 Torr 稱為低真空

36. （） 10-2 Torr 稱為低真空

36. （ × ） 10-2 Torr 稱為低真空

37. （） 10-5 Torr 稱為高真空

37. （○） 10-5 Torr 稱為高真空

38. （）抽真空時需先開渦輪幫浦

38. （ × ）抽真空時需先開渦輪幫浦

39. （）分析場發射特性時需量測極限值

39. （ ○ ）分析場發射特性時需量測極限值

40. （）分析場發射特性時起始電壓越低越好

40. （ ○ ）分析場發射特性時起始電壓越低越好

41. （） V ＝ E × L

41. （○） V ＝ E × L

42. （）分析 UV 特性時反應時間與回覆時間越高越好

42. （ × ）分析 UV 特性時反應時間與回覆時間越高越好

43. （）分析氣體感測時反應時間與回覆時間越高越好

43. （ × ）分析氣體感測時反應時間與回覆時間越高越好

44. （）氧化鋅的 Bandgap energy 在室溫時為（ 1 ） 3.37 eV （ 2 ）

4.37 eV （ 3 ） 5.37 eV （ 4 ） 3.27 eV

44. （ 1 ）氧化鋅的 Bandgap energy 在室溫時為（ 1 ） 3.37 eV（ 2 ） 4.37eV （ 3 ） 5.37 eV

（ 4 ） 3.27 eV

45. （）氧化鋅的 Thermoelectric Constant at 573 K 為（ 1 ） 1200

mV/K （ 2 ） 1400 mV/K （ 3 ） 1500 mV/K （ 4 ） 1100

mV/K

45. （ 1 ）氧化鋅的 Thermoelectric Constant at 573 K 為（ 1 ） 1200

mV/K （ 2 ） 1400 mV/K （ 3 ） 1500 mV/K （ 4 ） 1100

mV/K

46. （）氧化鋅可應用於太陽能電池

46. （ ○ ）氧化鋅可應用於太陽能電池

47. （）何為 Solar cells

47. （太陽能電池）何為 Solar cells

48. （）奈米結構改變材料的光電磁熱特性

48. （ ○ ）奈米結構改變材料的光電磁熱特性

49. （）一維材料的合成方法可用化學氣相沈積

49. （○）一維材料的合成方法可用化學氣相沈積

50. （） SFLS 稱為超臨界流體 -液 - 固

50. （○） SFLS 稱為超臨界流體 - 液 - 固